Intel обещает SSD на 10 ТБ с флеш-памятью 3D NAND

Флеш-память стандарта 3D NAND является, очевидно, одной из наиболее интересных и перспективных разработок в области решений для хранения данных. Ранее мы слышали о работах в данной сфере Samsung, а теперь и корпорация Intel в рамках ежегодной встречи инвесторов поделилась некоторыми подробностями.

В частности, заявлено, что поставки многослойной памяти 3D NAND совместного производства Intel и Micron планируется начать уже во второй половине 2015 года в виде чипов с емкостью 256 Гбит и 384 Гбит.


По уверениям Intel, его память 3D NAND является самой эффективной благодаря своей высокой емкости 256 Гбит (32 ГБ), в то время как у того же Samsung пока имеются лишь чипы на 128 Гбит. Впрочем, южнокорейский концерн может достаточно легко увеличить этот показатель примерно до 170 Гбит, просто добавив дополнительные слои в свои чипы. Отметим все же, что Intel и Samsung придерживаются в этой связи разных стратегий, так что сравнивать “в лоб” их разработки в области 3D NAND будет не вполне корректным.

Предполагается, что при создании своей памяти 3D NAND в Intel используются нормы 30 нм - 40 нм. При этом по словам Роба Крука (Rob Crooke), старшего вице-президента и генерального менеджера подразделения Intel по разработке энергонезависимой памяти, уже в ближайшую пару лет новая технология позволит создавать SSD с емкостью 10 ТБ и даже выше, которые вполне смогут конкурировать с современными жесткими дисками. В настоящее время линейка твердотельных накопителей Intel включает лишь 2-ТБ решения.

.

intel nand гбит памяти samsung

2014-11-27 17:05