Результатов: 10

Intel вернулась к 22-нм нормам при производстве новых чипсетов

Как сообщает ресурс Tom’s Hardware, ссылаясь на ряд своих информаторов, Intel решила задействовать старые 22-нм нормы, чтобы высвободить недостающие 14-нм мощности. В частности, на место 14-нм чипсета H310 вскоре придёт аналогичный 22-нм H310C, за которым, возможно, последуют и другие 3dnews.ru »

2018-9-20 12:00

GlobalFoundries будет выпускать 22-нм продукты STMicroelectronics

Франко-итальянская компания STMicroelectronics одной из первых приступила к производству полупроводников с технологическими нормами 28 нм на пластинах из полностью обеднённого кремния на изолирующем слое (FD-SOI, fully depleted silicon-on-insulator). 3dnews.ru »

2018-1-12 15:57

Intel предложила 22-нм «аналог» техпроцесса 14 нм FinFET

Вертикальные транзисторы FinFET обладают лучшими характеристиками, чем планарные элементы. Однако выпуск недорогих массовых полупроводников структуры FinFET по 14-нм нормам — это очень дорогое удовольствие. 3dnews.ru »

2017-3-29 15:00

Появились новые детали о техпроцессе 22-нм FD-SOI

О планах GlobalFoundries, касающихся освоения 22-нанометровой технологии FD-SOI, мы сообщали совсем недавно, а сейчас в Сети появились подробности об этом техпроцессе. Во-первых, внедрение FD-SOI подтверждено: технологический процесс будет готов к началу экспериментального производства чипов (tape-outs) в начале 2016 года, а массовое производство начнётся ближе к концу того же года. 3dnews.ru »

2015-6-30 14:56

GlobalFoundries рассматривает технологию 22-нм FD SOI

Современные техпроцессы класса FinFET великолепно справляются с задачей снижения уровня энергопотребления микрочипов и при этом способствуют повышению частотного потенциала. К сожалению, ничто не даётся даром - разработка и производство микросхем, использующих FinFET, является крайне дорогим удовольствием, которое могут позволить себе далеко не все разработчики современной микроэлектроники. 3dnews.ru »

2015-6-25 14:10