Rambus выпустила PHY-чипы для быстрой памяти на базе 28-нм техпроцесса

Компания Rambus заявила о разработке микросхем PHY (микросхемы физического уровня модели OSI) для памяти DDR3 и DDR4 на основе 28-нм передового Low Power Plus-техпроцесса Samsung. Предложенный дизайн описан на системном уровне и может легко интегрироваться в SoC-решения. Rambus

rambus выпустила phy-чипы быстрой памяти базе 28-нм техпроцесса

2015-2-13 18:49